3个原子厚度！Intel（Intel 英特尔）：2030年搞定1万亿晶体管

晶体管数量/密度一直是衡量半导体技术进步的重要指标，目前已经可以做到单芯片（半导体芯片）1000多亿个晶体管，比如Intel（Intel 英特尔） Ponte Vecchio GPU（图形处理器graphics processing unit，又称显示核心、视觉处理器、显示芯片）。

IEDM 2022 国际电气与电子工程师协会（IEEE）国际电子器件会议上，Intel（Intel 英特尔）公布了多项新的技术突破，将继续贯彻已经诞生75年的戈登·摩尔（Gordon Moore 英特尔共同创始人、IT第一定律摩尔定律创造者）定律，目标是在2030年做到单芯片（半导体芯片）集成1万亿个晶体管，是目前的10倍。

戈登·摩尔（Gordon Moore 英特尔共同创始人、IT第一定律摩尔定律创造者）定律原型

从应变硅、高K金属栅极、FinFET立体晶体管，到未来的RibbonFET GAA环绕栅极晶体管、PowerVia后置供电，再到2.5D EMIB＋3D Foveros、Foveros Direct/Omni封装技术，Intel（Intel 英特尔）一直在从各项技术上推动戈登·摩尔（Gordon Moore 英特尔共同创始人、IT第一定律摩尔定律创造者）定律。

IEDM 2022会议上，Intel（Intel 英特尔）披露了三个方面的技术突破：

1、下一代3D封装准单芯片（半导体芯片）

基于混合键合(hybrid bonding)，将集成密度和性能再提升10倍。

同时，间距缩小到3μm（微米），使得多芯片（半导体芯片）互连密度和带宽媲美如今的单芯片（半导体芯片）SoC。

2、超薄2D材料在单芯片（半导体芯片）内集成更多晶体管

使用厚度仅仅3个原子的2D通道材料，Intel（Intel 英特尔）展示了GAA堆栈nm（纳米）片，在双栅极结构上，在室温环境、低漏电率下，达成了非常理想的晶体管开关速度。

第一次深入揭示了2D材料的电接触拓扑，可实现更高性能、更有弹性的晶体管通道。

3、高性能计算能效、内存新突破

Intel（Intel 英特尔）研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片（半导体芯片）上打造FeRAM。

Intel（Intel 英特尔）正在打造300毫米直径的硅上氮化镓晶圆（晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅），比标准的氮化镓提升20倍。

Intel（Intel 英特尔）在超高能效方面也取得了新的突破，尤其是晶体管在断电后也能保存数据，三道障碍已经突破两道，很快就能达成在室温下可靠运行。

Intel（Intel 英特尔）制造工艺路线图

Intel（Intel 英特尔）封装技术路线图