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三星(Samaung):3纳米(nm) 代工市场 2026 年将达 242 亿$(美元)规模

发布日期:2022-12-12 网站维护

12月11日消息(Message),韩国三星电子(Samsung) Foundry 代工部门高级研究员朴炳宰本周四在“2022 年半导体 EUV 全球生态系统会议”上发表了演讲。

他表示,到 2026 年,全球 3 nm(纳米)工艺节点(Node)代工市场将达到 242 亿$(美元)规模,较2022年的 12 亿$(美元)增长将超 20 倍。

据网站(网站维护)当日了解到,韩国三星电子(Samsung)是唯一一家宣布成功量产 3 nm(纳米)芯片(半导体芯片)的公司,随着韩国三星电子(Samsung)、台积电(tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司,简称:台积电,英文:tsmc)、英特尔(Intel)等半导体大厂开始引进 EUV 设备,工艺技术不断发展,预计 3 nm(纳米)工艺将成为关键竞争节点(Node)。

根据 Gartner 数据,截至2022年年底,在晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)代工市场中占据最大份额的是 5 nm(纳米)和 7 nm(纳米)工艺,市场规模 369 亿$(美元),未来其份额将逐步由 3 nm(纳米)所取代。他表示,“随着 14 nm(纳米) FinFET 工艺的推出,韩国三星电子(Samsung)已经上升到代工市场的第二位。”

据称,3 nm(纳米)节点(Node)需要新的器件结构以提升(Boosting)性能,率先实现量产 3纳米(nm) 工艺的三星(Samaung)使用了环栅(GAA)晶体管结构的 MBCFET 技术,较 FinFET 性能功耗有明显改善。

“就 FinFET 而言,性能随着引脚数量的增加而提高,但功耗的增加超出了性能的提高幅度”,他表示,“另一方面,MBCFET 的效率要高得多,因为它们在相似的水平上提高了性能和功率。”

具体来说,在 FinFET 技术中性能提升(Boosting) 1.3 倍但功耗也会随着上涨 2.2 倍,而在 MBCFET 中,性能提高 1.7 倍时,功耗只会增加 1.6 倍,相对来说效率更高。