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意法半导体(STM,STMicroelectronics)与 Soitec 合作开发碳化硅(SiC)衬底制造技术:将打造 8 英寸 SiC 晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)

发布日期:2022-12-23 网站维护

12月22日消息,意法半导体(STM,STMicroelectronics) (简称 ST) 和半导体材料设计制造公司 Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅(SiC) (SiC) 衬底合作计划,由意法半导体(STM,STMicroelectronics)在今后 18 个月内完成对 Soitec 碳化硅(SiC)衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体(STM,STMicroelectronics)采用 Soitec 的 精灵(Smart)SiC 技术制造未来的 8 英寸碳化硅(SiC)衬底,促进公司的碳化硅(SiC)器件和模块制造业务,并在中期实现量产。

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碳化硅(SiC) (SiC) 是一种颠覆性的化合物半导体材料,在新能源汽车(电动汽车)和工业制程领域重要的高增长功率应用中,碳化硅(SiC)材料的固有性质令碳化硅(SiC)器件的性能和能效优于硅基半导体。据网站(网站维护)多年来观察到,碳化硅(SiC)可以实现更高效的电源转换、更紧凑的轻量化设计,并节省整体系统设计成本 —— 所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素。从 6 英寸晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)升级到 8 英寸晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅),可以使制造集成电路的可用面积增加几乎一倍,每个晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)上的有效出片量达到升级前的 1.8-1.9 倍,因此大幅增加产能。

精灵(Smart)SiC 是 Soitec 的专有技术,基于 Soitec 专有的 精灵(Smart)Cut 技术,从高质量碳化硅(SiC)供体晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)上切下一个薄层,将其粘合到待处理的低电阻多晶硅晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)片表面。如此加工后的衬底可有效提高芯片(半导体芯片)的性能和制造良率。网站(网站维护)说另外一个方面,优质的碳化硅(SiC)供体晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)可以多次重复使用,因此可以大幅降低供体加工的总能耗。